2016年12月18日，GaN Systems亚太区技术总监Charles Bailley在中远报告厅为我校师生作了精彩报告-“GaN E-HEMT器件原理及其应用”。

GaNGaN器件是一种宽禁带半导体器件，具有卓越的电气和热特性，被认为最有可能替代Si MOSFET器件的新一代半导体器件。Charles Bailley博士介绍了 GaN器件的基本原理、驱动设计、热设计、电气保护及应用。Charles Bailley博士的报告受到师生一致好评。

学院副院长许晓彦教授主持并与学生共同交流。